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磨料对平面抛光效果的影响
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发布者:admin 发布时间:2018-5-14 阅读:30次 【字体:

磨料对平面抛光效果的影响
  平面抛光机抛光过程中磨料的作用是借助于机械力,将晶片表而经化学反应后形成的钝化膜去除,从而达到表而平整化的目的。日前常用的磨料有胶体SiO2 、Al2O3及CeO2等。
  磨料的种类决定了磨粒的硬度、尺寸,从而影响抛光效果。抛光铝实验中,相对于SiO2、Al2O3磨料能获得较好的表而平整度,表而刮痕数量少、尺寸小,其原因是胶体SiO2磨粒尺寸小,抛光时磨料嵌入晶片表面的深度较小,并且在优选其它参数的情况下,也能获得很高的抛光效率。
  磨料的浓度会影响抛光效果。抛光铝实验中,随着磨料 (胶体SiO2)浓度的提高,单位而积参与磨削的磨粒数日增加,所以抛光效率提高,表而刮痕尺寸缓慢增人或基本保持不变; 但磨料浓度过人时,抛光液的粘性增人,流动性降低,影响加工表而氧化层的有效形成,导致抛光效率降低。磨粒的尺寸也会对抛光效果产生影响,磨粒尺寸越小,表而损伤层厚度小。据统计,在硅片的精抛过程中,每次磨削层的厚度仅为磨粒尺寸的四分之一。为了有效地减小表而粗糙度和损伤层厚度,通常采用小尺寸的胶体硅(15~20nm)来代替粗抛时的胶体硅(50~70rnm);同时通过加强化学反应及提高产物的排除速度来提高抛光效率。

 

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